RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
14
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
36
Autour de -20% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
30
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
17000
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
2716
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link