RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
33
Autour de -32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
25
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
3683
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Mushkin 991586 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link