RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
33
Autour de -38% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
24
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
2858
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link