RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.7
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.9
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
33
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
15.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
3635
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link