RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
33
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3635
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link