RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Porównaj
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
52
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
1,906.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,672.4
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,906.4
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
698
2346
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link