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Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
比较
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
总分
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
52
左右 -37% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.5
1,906.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
38
读取速度,GB/s
4,672.4
15.3
写入速度,GB/s
1,906.4
10.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
698
2346
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
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