RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
2913
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link