RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
24
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2103
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9G 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link