RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2103
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link