RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.5
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
18.5
Скорость записи, Гб/сек
7.5
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3457
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link