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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
29
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3457
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF556C40-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
SK Hynix HMT41GR7MFR4C-PB 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
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