RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Compara
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
33
En 15% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
33
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2213
2913
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link