RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
16.5
Скорость записи, Гб/сек
8.5
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2213
2913
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link