RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
77
Wokół strony -208% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3845
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link