RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
77
Около -208% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
19.1
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3845
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link