RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
96
Около -210% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
31
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
16.6
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
2605
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link