RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
33
Autour de -18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
28
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
3503
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link