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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
28
读取速度,GB/s
17.6
18.2
写入速度,GB/s
12.0
15.4
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3503
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
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G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
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