RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
37
Autour de 11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
37
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
2946
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link