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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
37
Por volta de 11% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
14.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
11.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
37
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
11.1
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
2946
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
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