RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
33
Autour de -38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.7
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
24
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
20.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
15.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
3561
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB Comparaison des RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link