RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
43
Autour de 37% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
43
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2864
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link