RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
43
左右 37% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
43
读取速度,GB/s
13.8
15.5
写入速度,GB/s
8.4
11.9
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2864
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB RAM的比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
报告一个错误
×
Bug description
Source link