RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
33
Autour de -18% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
28
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
2834
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link