RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
16.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.7
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
28
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
16.8
Скорость записи, Гб/сек
12.0
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2834
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Lenovo 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link