RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2237
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KF552C40-16 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link