RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
34
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.8
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
29
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
20.8
Скорость записи, Гб/сек
5.8
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
3901
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Mushkin 991586 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link