RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
34
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.8
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
29
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1682
3901
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link