RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
49
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2236
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation M424016 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link