RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
35
Autour de 6% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
35
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
2426
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link