RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
35
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
35
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2426
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link