RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
35
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
35
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2426
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
INTENSO 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link