RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
45
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2600
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link