RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
45
Rund um -15% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
10.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2600
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link