RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
84
Autour de 61% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
84
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
6.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
1574
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
AMD R748G2606U2S 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link