RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
35
Autour de 6% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
35
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
2845
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link