RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
35
Около 6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
11.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
35
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.0
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2845
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link