RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
33
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
27
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
3396
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-494.A00LF 8GB
Kingston 9905403-502.A00LF 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link