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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
27
读取速度,GB/s
17.6
17.9
写入速度,GB/s
12.0
13.5
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3396
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
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Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
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