RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB vs AMD R748G2606U2S 8GB

总分
star star star star star
AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

总分
star star star star star
AMD R748G2606U2S 8GB

AMD R748G2606U2S 8GB

差异 规格 评论

差异

AMD R538G1601U2S 8GB 需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    19 left arrow 61
    左右 69% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.4 left arrow 15
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.3 left arrow 8.9
    测试中的平均数值
AMD R748G2606U2S 8GB 需要考虑的原因
AMD R748G2606U2S 8GB
报告一个错误
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    19 left arrow 61
  • 读取速度，GB/s
    18.4 left arrow 15.0
  • 写入速度，GB/s
    12.3 left arrow 8.9
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    3189 left arrow 2028

AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB

AMD R748G2606U2S 8GB RAM的比较

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
内存RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
内存RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
内存RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
内存RAM
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
内存RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
内存RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
内存RAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
内存RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
内存RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
内存RAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
内存RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
内存RAM