RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Porównaj
AMD R538G1601U2S 8GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Wynik ogólny
AMD R538G1601U2S 8GB
Wynik ogólny
AMD R748G2606U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R538G1601U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
61
Wokół strony 69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
8.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R748G2606U2S 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
19
61
Prędkość odczytu, GB/s
18.4
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.3
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3189
2028
AMD R538G1601U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Lenovo 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Inmos + 256MB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kllisre 0000 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link