RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
33
Autour de -27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
26
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
3332
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link