Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

25600 17000

Около 1.51% выше полоса пропускания

G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 33

Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.5 17.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.0 12.0

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

33 26
Скорость чтения, Гб/сек

17.6 18.5
Скорость записи, Гб/сек

12.0 15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 17000

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2910 3332

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB

модули RAM

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

модули RAM

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB

Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB

A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB

Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB

модули RAM

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB

Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB

Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Kingston 9965596-035.B00G 4GB

Kingston 9965596-035.B00G 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB

SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB

модули RAM