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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
33
Autour de -65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.1
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.7
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
20
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
20.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
15.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
3726
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
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