RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
33
En -65% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
17.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.7
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
20
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
15.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
3726
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
‹
›
Informar de un error
×
Bug description
Source link