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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Compara
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
8.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
37
En -12% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
33
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
9.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.6
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2438
2286
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
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