RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Compara
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
8.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
37
En -12% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
33
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
9.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.6
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2438
2286
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link