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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
52
En 29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17500
10600
En 1.65 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
52
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
10.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17500
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2319
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
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