RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
52
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17500
10600
Wokół strony 1.65 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
52
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
10.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17500
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2319
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link