RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
66
Wokół strony -154% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2846
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link