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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
66
左右 -154% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.2
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
26
读取速度,GB/s
2,775.5
14.4
写入速度,GB/s
1,557.9
11.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
2846
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
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